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科技條件平台

【工程中心】北京市集成電路先導工藝工程技術研究中心

中心簡介

  北京市集成电路先导工艺工程技术研究中心(以下简称“工程中心”)依托于中國科學院微电子研究所组建,2011年6月被北京市科委正式认定,是在国家科技重大专项支持下建立、实验室按照工业化标准设计和建设、采用准工业化模式进行研发管理、并由国际化研发团队运作的国家级研发中心。

  工程中心擁有一條完整的8吋集成電路先導工藝研發線,並兼容矽基光子器件、矽基MEMS器件等集成技術研發。研發線具備10納米電子束光刻的研發能力和180納米光學光刻的量産能力。工程中心現有150名研發人員,其核心團隊來自世界著名的集成電路企業和研發機構,平均擁有超過10年的研發和科研管理經驗。工程師團隊均有5年以上的工業界研發或生産經驗,另有在讀博士、碩士研究生100余人。

  作爲我國集成電路先導工藝研究領域的中堅力量,工程中心面向未來5-10年集成電路技術的基礎創新需求以及超前國內企業量産技術2代以上的技術探索和儲備需求,聯合北京大學、清華大學、複旦大學、中芯國際、武漢新芯等産學研用單位開展聯合研發,四大主要研究方向包括:

  ● 集成电路创新技术

  ● 集成电路计算光刻与设计优化

  ● 光子器件与集成技术

  ● MEMS器件及系统

  在国家02科技重大专项的支持下,工程中心实现了22纳米技术节点CMOS、高K栅介质/金属栅工程、16/14纳米技术节点的FinFETs、5纳米及以下技术节点纳米线和堆叠纳米片器件等关键技术的突破,研究水平迈入世界前列;提出了“專利指导下的研发战略”,在关键工艺?樯闲纬闪私衔低车闹恫ú季郑▽@2024项,含国际專利607项),部分关键專利被Intel、IBM、台积电、三星等国内外半导体领先企业广泛引用和部分应用。其中,FinFET等关键技术專利质量位居国际先进行列,被国家知识产权局评为專利发明金奖。科研成果首次实现了向国内大型集成电路制造与装备企业的專利技术转移和转化。先后获得“国家技术发明二等奖”、“中科院杰出成就奖”等多项奖项。目前与中芯国际等企业紧密合作,开展了针对新一代7纳米FinFET先导产品工艺的研发,并组织国内优势科研单位开展了面向5纳米及以下技术节点的先导技术研究。

 

  網址:http://www.7ldou.com/icac/

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