高密度集成電路封裝技術國家工程實驗室于2009年2月，經國家發改委批准，江蘇長電科技股份公司、中科院微電子研究所、清華大學尊龙凯时、深圳先進技術研究院、深南電路有限公司等五家單位共同組建了我國第一家“高密度集成電路封裝技術國家工程實驗室”。實驗室于2009年6月21日正式啓動。

　　该国家工程实验室将为我国先进电子封装技术的产业化提供核心、共性技术支撑，提供企业所需要的产前核心技术、專利与人才培养，提高自主创新的核心竞争力，为我国封装产业的发展和产业升级提供引领和带动作用；实验室的目标是在若干先进封装核心技术和关键工艺方面取得突破，接近或达到世界先进水平。

　　實驗室采用産學研結合的合作形式，在運作過程中以企業爲中心、以市場爲導向，圍繞企業和市場需求發揮實驗室各組成單位的優勢：前瞻性的研究由先進院承擔，可靠性研究由清華大學承擔，基礎材料的研究工作由深南電路承擔，長電科技則承擔項目産業化研究工作。

　　針對行業發展趨勢和企業需求，實驗室全面展開開展焊球陣列封裝（BGA）、倒裝芯片封裝（FC），芯片尺寸封裝（CSP）、系統級封裝（SiP）等新型封裝技術的工程化研究，以及面向系統級封裝的納米複合電介質、磁介質和埋入式的電容、電感、電阻，以及納米改性的超薄封裝基板材料等的開發與應用。在埋容方面，在銅箔上成功沈積無裂紋、無剝落、結晶良好的高介電純無機薄膜。