尊龙凯时 - 人生就是搏!

當前位置 首頁 科研工作 科研産出 論文
論文编号: 1725110120160045
第一作者所在部門:
論文题目: Design of high-performance memristor cell using W-implanted SiO2 films
論文题目英文:
作者:
論文出处:
刊物名稱: Applied Physics Letters
年: 2016
卷: 108
期: 15
頁: 153501-1
聯系作者: 劉琦
收錄類別:
影響因子:
摘要:
英文摘要:
外單位作者單位:
備注:
中國科學院微电子研究所版权所有 邮编：100029
單位地址：北京市朝陽區北土城西路3號，電子郵件：webadmin@ime.ac.cn
京公網安備110402500036號，京ICP備05002781號-1