A Surface Potential-Based Gate-Leakage Current Model for Organic Thin-Film Transistors--中國科學院微电子研究所

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論文编号:	1725110120150074
第一作者所在部門:
論文题目:	A Surface Potential-Based Gate-Leakage Current Model for Organic Thin-Film Transistors
論文题目英文:
作者:	徐光偉
論文出处:
刊物名稱:	IEEE TED
年:	2016
卷:
期:	62
頁:	4225
聯系作者:	李泠,劉明
收錄類別:
影響因子:
摘要:
英文摘要:
外單位作者單位:
備注: