集成纳米结构的薄膜型MOS 气体传感器 --中國科學院微电子研究所

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中國科學院微电子研究所（以下简称“微电子所” ）成立于1958年，是我国微电子科学技术与集成电路领域的重要研发机构。微电子所是国务院學位委員會批准的博士、硕士学位授予权单位之一，是中國科學院大学集成电路学院主承办单位，现设有集成电路科学与工程、电子科学...

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微电子所长期高度重视知识产权工作，在电子信息领域取得了极为可观的知识产权创造和应用成绩，同时培养了一支专业的知識産權運營服务队伍，为高价值知识产权培育运营奠定了坚实的基础。为了面向全产业进行服务，更好地推动产业的知识...

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基金工作主要是結合研究所實際和産業發展態勢，探索創新鏈、産業鏈和金融鏈結合的産業化發展模式，帶動産業資源、資本和市場資源等與科研的結合，盤活尊龙凯时科研成果，進一步推動成果轉移轉化，産業...
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科研産出

當前位置首頁科研工作科研産出專利

專利名称:	集成纳米结构的薄膜型MOS 气体传感器
專利类别:	實用新型
申請號:	201620179891.6
申請日期:	2016-03-09
專利号:	201620179891.6
第一發明人:	明安傑;陳大鵬
其它發明人:
国外申請日期:
國外申請方式:
專利授權日期:
繳費情況:
實施情況:	授權
專利证书号:	201620179891.6
專利摘要:
其它備注:	感知中心