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當前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名: 丁武昌
  • 性別: 男
  • 職稱: 副研究員
  • 職務: 
  • 學曆: 研究生
  • 電話: 010-82995597
  • 傳真: 
  • 電子郵件: dingwuchang@ime.ac.cn
  • 所屬部門: 高頻高壓器件與集成研發中心
  • 通訊地址: 北京市朝陽區北土城西路3號

    簡  曆:

  • 教育背景

    2000-2004,中國科學技術大學物理系,本科學曆,學士學位

    2004-2009,中國科學院半导体研究所,研究生学历,博士学位

    工作簡曆

    2009年-今,中國科學院微电子研究所

    社會任職:

    研究方向:

  • InP基HBT、HEMT高频器件与电路研究:InP HBT高频器件工艺与集成电路工艺,HBT器件建模,InP HEMT高频低噪声器件建模等。

    承擔科研項目情況:

  • 國家重大科技專項,“高頻段5G基站用功率放大器”

    代表論著:

  • 1. Ding Peng, Chen Chen, Ding Wuchang, et al. “Ultra-thin 20 nm-PECVD-Si3N4 surface passivation in T-shaped gate InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs and its impact on DC and RF performance”, SOLID-STATE ELECTRONICS, vol. 123, pp. 1-5, 2016;

    2. Ding Wuchang, Jia Rui, Li Haofeng et al. “Design of two dimensional silicon nanowire arrays for antireflection and light trapping in silicon solar cells”, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Vol. 115, pp. 014307, 2014;

    3. Ding Wuchang, Jia Rui, Wu Deqi, et al. “Numerical simulation and modeling of spectral conversion by silicon nanocrystals with multiple exciton generation”, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 109, pp.054312, 2011;

    4. Ding Wuchang, Jia Rui, Cui Dongmeng, et al. “Light confinement for silicon solar cells with thin substrate”, 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, pp.2633-2636, 2013;

    5. Ding Wuchang, Wang Qiming, et al. “A comparison of silicon oxide and nitride as host matrices on the photoluminescence from Er3+ ions”, CHINESE PHYSICS B, vol.18, pp. 3044-3048;

    6. 丁武昌,“光管理在晶体硅电池中的应用”,中国光学,vol.6, pp.717-728;

    專利申请:

    獲獎及荣誉: