教育背景：
2018-2021 中國科學院微电子研究所，微电子学与固体电子学专业，工学博士
2004-2007 北京航空航天大學，信息功能材料，工學碩士
2013-至今 中國科學院微电子研究所 高級工程師 中國科學院技术支撑人才 硕士生导师
先導刻蝕技術，納米器件及關鍵工藝，紅外傳感/探測器技術
2021.1-2024.12 中科院先導C類先導專項，3-1nm關鍵工藝模塊子課題負責人
2021.9-2023.9 中國科學院仪器设备功能开发技术创新项目，课题负责人
2022.1-2025.12 中國科學院技术支撑人才项目（工程类），课题负责人
2022.1-2023.6 橫向課題/SiGe/Si選擇性刻蝕與納米溝道釋放，課題負責人
2019.1-2021.12 北京科委项目 红外探测器关键技术，項目骨幹
1，Jun jie Li,Wenwu Wang,Yongliang Li et al., Study of selective isotropic etching Si1？xGex in process of nanowire transistors. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 2020, 31, 134–143
2，Jun jie Li, Yongliang Li,Guilei Wang, Wenwu Wang et al., A Novel Dry Selective Isotropic Atomic Layer Etching of SiGe for Manufacturing Vertical Nanowire Array with Diameter Less than 20 nm. Materials 2020, 13, 771
3. Jun jie Li, Yongliang Li,Guilei Wang, Wenwu Wang et al., Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-transistors. Nanomaterials 2020, 10, 1–11
4. Radamson, H. Jun jie Li, et al., State of the Art and Future Perspectives in Advanced CMOS Technology. Nanomaterials 2020, 10, 1555
5. Na Zhou,Junjie Li, et al.,Deep silicon etching for thermopile structures using a modified Bosch process. Journal of Micro/Nanolithography,MEMS,and MOEMS 18(02):1
6. Qingzhu Zhang, Huaxiang Yin,Jun Luo,Hong Yang,Zhenghua Wu,Junjie Li, et al., The Study of Reactive Ion Etching of Heavily Doped Polysilicon Based on HBr/O2/He Plasmas for Thermopile Devices. Materials 2020, 13(19), 4278
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8.Zhaohao Zhang,Gaobo Xu,Qingzhu Zhang,Junjie Li, et al., FinFET with Improved Subthreshold Swing and Drain Current using 3 nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2. IEEE Electron Device Letters PP(99)
9. Xiaogen yin, yongkui zhang,huilong zhu,guilei wang, Junjie li, lichen, et al.,Vertical Sandwich Gate-All-Around Field-Effect Transistors with Self-Aligned High-k Metal Gates and Small Effective-Gate-Length Variation. Electron Device Letters2019, 41, 8–11,doi:10.1109/LED.2019.2954537 IF 3.753
1. 李俊杰，刘耀东，羅軍等，一种二极管探测器、探测器及探测器制作方法，授权專利号：ZL202010059368.0
2. 李俊杰，刘耀东，周娜等，一种金属纳米线或片的制作方法及纳米线或片，授权專利号：ZL201910787862.6
3. 李俊杰，吴振华，王文武等，一种纳米线的制作方法，授权專利号：ZL201810596945.2
4. 李俊傑，徐秋霞，殷華湘，李俊峰等，納米線圍柵MOS器件及其制备方法，授权專利号：ZL201810745480.2
5. 李俊杰，王桂磊，李永亮等，一种微电极结构及其制作方法及包括该器件的电子设备，授权專利号：ZL201910380542.9
6. 李俊傑，傅劍宇，高建峰，楊濤等，一種紅外吸收薄膜結構及制作方法及其電子設備，
授权專利号：ZL201910457839.0
7. 李俊杰，李永亮，王文武，半导体器件与其制作方法，授权專利号：ZL201810596940.X
8. 李俊杰，周娜，李永亮，王桂磊，殷华湘等，内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法，授权專利号：ZL201911234819.3
9. 李俊杰，吴振华，张青竹，王文武，包括纳米线的器件与其制作方法，授权專利号：ZL201810502936.2
中科院微電子研究所先進工作者（十佳員工）
中國科學院院长特别奖
唐立新獎
王守武獎
人才隊伍