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  • 姓名: 彭松昂
  • 性別: 男
  • 職稱: 副研究員
  • 職務: 
  • 學曆: 
  • 電話: 
  • 傳真: 
  • 電子郵件: 
  • 所屬部門: 高頻高壓器件與集成研發中心
  • 通訊地址: 

    簡  曆:

  • 教育背景

    2010.9-2015.6,中國科學院大学研究生院,微电子学与固体电子学,博士 

    2006.9-2010.6,河南大學,物理學,學士

    工作簡曆

    2018.3-至今,中國科學院微电子研究所,副研究員 

    2015.7-2018.3,中國科學院微电子研究所,助理研究員

    社會任職:

    研究方向:

  • 二維材料電子器件與電路

    承擔科研項目情況:

  • 國家自然科學基金青年基金項目(61704189):基于石墨烯異質結構的二維過渡金屬硫化物器件界面物性調控研究(2017-2019)

    中科院微電子器件與集成技術重點實驗室開放課題“石墨烯與金屬及金屬氧化物的界面調控和機理研究”(2015-2016)

    代表論著:

  • 1、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “How Do Contact and Channel Contribute to the Dirac Points in Graphene Field‐Effect Transistors?”, Adv. Electron. Mater, 2018, 4 (8).

    2、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “Carrier-Number-Fluctuation Induced Ultralow 1/f Noise Level in Top-Gated Graphene Field Effect Transistor”, ACS. Appl. Mater. Interfaces, 2017, 9 (8), pp 6661–6665.

    3、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “Evidence of electric field tunable tunneling probability in graphene and metal contact”, Nanoscale. 2017,9 (27), 9520-9528.

    4、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “Effect of source-gate spacing on dc and rf characteristic of graphene field effect transistor”, Appl. Phys. Lett. 106(2015) 022504.

    5、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “The sheet resistance of graphene under contact and its effect on the derived specific contact resistivity”, Carbon. 82 (2015) pp.500-505.

    6、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “Heavily p-type doped chemical vapor deposition graphene field-effect transistor with current saturation”, Appl. Phys. Lett. 103(2013) 223505.

    專利申请:

    獲獎及荣誉:

  • 2010-2011年中國科學院研究生院三好学生

    2015年中國科學院院长奖学金(优秀奖)

    2015年研究生國家獎學金