教育背景
2007年9月—2011年6月 杭州電子科技大學集成電路設計與集成系統本科學習，獲得集成電路設計與集成系統學士學位。
2011年9月—2014年3月 天津理工大學微電子學與固體電子學碩士研究生學習，獲得微電子學與固體電子學碩士學位。
2014年9月—2017年7月 中國科學院大学微电子学与固体电子学博士研究生学习，获得微电子学与固体电子学博士学位。
工作簡曆
2017年7月—2019年12月 中國科學院微电子及器件与集成技术重点实验室，助理研究員
2019年12月—2021年9月 中國科學院微电子及器件与集成技术重点实验室，副研究員
2021年9月—2022年9月 中國科學院微电子及器件与集成技术重点实验室，副主任、副研究員
2022年9月—2023年7月 中國科學院微电子及器件与集成技术重点实验室，副主任、研究員
2023年7月—至今 中國科學院微电子及器件与集成技术研发中心，主任、研究員
新型存儲器
1．國家自然基金優青項目：“阻變存儲器的三維集成”2020.01-2022.12 批准號：61922083，課題經費：120 萬；
2．國家自然基金“後摩爾”重大研究計劃重點支持項目“基于ALD氧化物半導體的2T0C三維DRAM存儲器”，2023.01-2026.12批准號：92264204，項目經費300萬；
3．國家重點研發計劃青年科學家項目：“铪基鐵電存儲器機理與集成技術研究”，2022.11-2025.10, 批准號：2022YFB3608400，項目經費300萬；
4．中科院先導A“先進工藝節點嵌入式RRAM核心技術”，2022.01-2024.12,項目經費：10000萬；
5．中科院先導B“存算一體基礎器件與系統”子課題，2020.01-2024.12,子任務經費：500萬；
6．國家自然基金青年項目：“自選通阻變存儲器的機理及失效機制研究”2019.01-2021.12批准號：61804167，課題經費：24 萬；
1.Wang, Yuan, Lei Tao, Roger Guzman, Qing Luo*, Wu Zhou, Yang Yang, Yingfen Wei et al. "A stable rhombohedral phase in ferroelectric Hf (Zr) 1+ x O2 capacitor with ultralow coercive field." Science 381, no. 6657 (2023): 558-563.
2.Qing Luo, Yan Cheng, Jianguo Yang, Rongrong Cao, Haili Ma, Yang Yang, Rong Huang, Wei Wei, Yonghui Zheng, Tiancheng Gong, Jie Yu, Xiaoxin Xu, Peng Yuan, Xiaoyan Li, Lu Tai, Haoran Yu, Dashan Shang, Qi Liu, Bing Yu, Qiwei Ren, Hangbing Lv, and Ming Liu, “A highly CMOS compatible hafnia-based ferroelectric diode” Nature Communications, 2020, 11(1).
3.Qing Luo, Bing Chen，Rongrong Cao, Xiaoyong Xue, Keji Zhou, Jianguo Yang, Xu Zheng, Haoran Yu, Jie Yu, Tiancheng Gong, Xiaoxin Xu, Peng Yuan, Xiaoyan Li, Lu Tai, Qi Liu, Hangbing Lv, and Ming Liu, “Complementary Memory Cell Based on Field-Programmable Ferroelectric Diode for Ultra-Low Power Current-SA Free BNN Applications”, IEDM Tech. Dig. 38.5 (2019)
4.Tiancheng Gong, Lei Tao, Junkang Li, Yan Cheng, Yannan Xu, Wei Wei, Pengfei Jiang, Peng Yuan, Yuan Wang, Yuting Chen, Yaxin Ding, Yang Yang, Yan Wang, Bing Chen, Qing Luo*, Steve S Chung, Shixuan Du, Ming Liu. "105× endurance improvement of FE-HZO by an innovative rejuvenation method for 1z node NV-DRAM applications." Symposium on VLSI Technology (2021)
5.Jianguo Yang, Qing Luo, Xiaoyong Xue, Haijun Jiang, Qiqiao Wu, Zhongze Han, Yue Cao, Yongkang Han, Chunmeng Dou, Hangbing Lv, Qi Liu, Ming Liu. “A 9Mb HZO-Based Embedded FeRAM with 1012-Cycle Endurance and 5/7ns Read/Write using ECC-Assisted Data Refresh and Offset-Canceled Sense Amplifier”, ISSCC ,pp. 1-3 (2023)
6.Qing Luo, Xiaoxin Xu, Hongtao Liu, Hangbing Lv, Tiancheng Gong, Shibing Long, Qi Liu, Haitao Sun, Writam Banerjee, Ling Li, Jianfeng Gao, Nianduan Lu, Steve S. Chung, Jing Li, and Ming Liu, “Demonstration of 3D vertical RRAM with ultra low-leakage, high-selectivity and self-compliance memory cells”, IEDM Tech. Dig., 10.2: (2015).
7.Qing Luo, Xiaoxin Xu, Hongtao Liu, Hangbing Lv, Tiancheng Gong, Shibing Long, Qi Liu, Haitao Sun, Writam Banerjee, Ling Li, Nianduan Lu, and Ming Liu, “Cu BEOL compatible selector with high selectivity (>107), extremely low off-current (~pA) and high endurance (>1010)”, IEDM Tech. Dig., 10.4: (2015).
8.Qing Luo, Xiaoxin Xu, Hangbing Lv, Tiancheng Gong, Shibing Long, Qi Liu, Haitao Sun, Ling Li, Nianduan Lu, and Ming Liu, “Fully BEOL Compatible TaOx-based Selector with High Uniformity and Robust Performance”, IEDM Tech. Dig., 11.7: (2016)
9.Qing Luo, Xiaoxin Xu, Tiancheng Gong, Hangbing Lv, Danian Dong, Haili Ma, Peng Yuan, Jianfeng Gao, Jing Liu, Zhaoan Yu, Junfeng Li, Shibing Long, Qi Liu, and Ming Liu, “8-layers 3D vertical RRAM with excellent scalability towards storage class memory applications”, IEDM Tech. Dig. 2.7 (2017)
10.Qing Luo, Tiancheng Gong, Yan Cheng, Qingzhu Zhang, Haoran Yu, Jie Yu, Haili Ma, Xiaoxin Xu, Kailiang Huang, Xi Zhu, Danian Dong, Jiahao Yin, Peng Yuan, Lu Tai, Jianfeng Gao, Junfeng Li, Huaxiang Yin, Shibing Long, Qi Liu, Hangbinh Lv, and Ming Liu, “Hybrid 1T e-DRAM and e-NVM Realized in One 10 nm node Ferro FinFET device with Charge Trapping and Domain Switching Effects”, IEDM Tech. Dig. 2.6 (2018)
2018年中國科學院杰出科技成就奖。
2019年中國電子信息科技創新團隊獎。
人才隊伍