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教育背景

2010年2月-2015年2月，美國紐約州立大學布法羅分校，電子工程系，博士

2009年9月-2011年2月，美國紐約州立大學布法羅分校，電子工程系，碩士

2004年9月-2008年6月，南京理工大學，電子信息工程系，學士

工作簡曆

2021年4月-至今，中國科學院微电子研究所，研究員

2018年1月-2021年3月，中國科學院微电子研究所，副研究員

2015年5月-2018年1月，美国格罗方德纽约研发中心，高級工程師

計算光刻、工藝建模仿真、集成電路先進制造工藝

1、國家自然科學基金面上項目，集成電路關鍵圖形工藝的模型研究，2019-2022，項目負責人

2、中科院人才項目，2018-2023，項目負責人

3、中科院所長基金，刻蝕工藝模型研究，2018-2020，項目負責人

4、校企産研項目，先進技術節點光刻工藝優化，2018-2021，主要技術負責人

5、校企産研項目，先進技術節點ALE仿真模型及工藝驗證，2021-2022，項目負責人

6、校企産研項目，PECVD輪廓仿真軟件開發，2020-2021，項目負責人

7、國家科技重大專項（02專項），5nm光刻技術方案與設計規則優化2017-2020，項目骨幹

8、國家02科技重大專項（02專項），下一技術節點三維存儲器的光刻方案研究，2018-2020，項目骨幹

9、中科院先導項目，2021-2023，項目骨幹

著作：

韋亞一、粟雅娟、董立松、張利斌、陳睿、趙利�。�《計算光刻與版圖優化》，電子工業出版社，2020

代表性論文：

1.Hua Shao, Rui Chen*, Lisong Dong, Chen Li, Qi Yan, Taian Fan, and Yayi Wei*, High Accuracy Simulation of Silicon Oxynitride Film Grown by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 35(2): 309-317 (2022)

2.Hua Shao, Rui Chen*, Junjie Li, Chen Li, Qi Yan, Yayi Wei*, Modeling of SiN Inner Spacer Deposition in Gate-all-around Nanosheet FET Process, Proc. SPIE 12055, Advances in Patterning Materials and Processes XXXIX, 1205502 (2022)

3.Rui Chen, Haoru Hu, Xiaoting Li, Ying Chen, Xiaojing Su, Lisong Dong, Lei Qu, Chen Li, Jiang Yan, Yayi Wei*, Etch model based on machine learning, 2020 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2-7 (2020).

4.Rongbo Zhao, Lisong Dong, Rui Chen, and Yayi Wei, Aberration optimization in an extreme ultraviolet lithography projector via a BP neural network and simulated annealing algorithm, Applied Optics 60 (5), 1341-1348 (2021).

5.Ying Chen, Yibo Lin, Rui Chen, Lisong Dong, Ruixuan Wu, Tianyang Gai, Le Ma, Yajuan Su, and Yayi Wei, EUV Multilayer Defect Characterization via Cycle-Consistent Learning, Optical Express, 28(12), 18493-18506 (2020).

6.Rui Chen, Granger Lobb, Aleksandra Clancy, Bradley Morgenfeld, Shyam Pal. Line End Shortening & Iso-Dense Etch Bias Improvement by ALD Spacer Shrink Process, Proc. SPIE 10146, Advances in Patterning Materials and Processes XXXIV, 101461D (2017).

7.Rui Chen, Weilu Gao, Xuan Wang, Gregory R. Aizin, John Mikalopas, Takashi Arikawa, Koichiro Tanaka, David B. Eason, Gottfried Strasser, Junichiro Kono, Jonathan P. Bird. Gunn Effect in GaAs/AlGaAs Nanoconstrictions, IEEE Transactions on Nanotechnology, 14(3): 524-530 (2015).

8.Chun Pui Kwan, Rui Chen, Uttam Singisetti, and Jonathan P. Bird. Electric-Field-Induced Conductivity Mechanisms in Crystalline Chromia, Applied Physics Letters, 106, 112901 (2015).

9.Weilu Gao, Xuan Wang, Rui Chen, David. B. Eason, Gottfried Strasser, Jonathan P. Bird and Junichiro Kono. Electroluminescence from GaAs/AlGaAs Heterostructures in Strong In-Plane Electric Fields: Evidence for k- and Real-Space Charge Transfer, ACS Photonics. 2(8): 1155-1159 (2015).

10. Rui Chen, Jungwoo Song, Teng-Yin Lin, Gregory R. Aizin, Yukio Kawano, Nobuyuki Aoki, Yuichi Ochiai, Vincent R. Whiteside, Bruce D. McCombe, David Thomas, Mike Einhorn, John L. Reno, Gottfried Strasser, and Jonathan P. Bird. Terahertz Detection With Nanoscale Semiconductor Rectifiers, IEEE Sensors Journal, 2013. 13, 24-30 (2013).

1.Ming Hao Tang, Yuping Ren, Rui Chen, Bradley Morgenfeld, Zheng G. Chen , Mark structure for aligning layers of integrated circuit structure and methods of forming same, US Patent 10,566,291, 2020. 

2.Minghao Tang, Rui Chen, Yuping Ren, Interconnects with cuts formed by block patterning, US Patent 10319626, 2019. 

3.Jiehui Shu, Jinping Liu, Rui Chen, Multiple patterning with variable space mandrel cuts, US Patent 10566195, 2020. 

4.Wei Zhao, Minghao Tang, Rui Chen, Dongyue Yang, Haiting Wang, Erik Geiss, Scott Beasor, Asymmetric overlay mark for overlay measurement, US Patent 10707175 ,2020. 

5.Wei Zhao, Ming Hao Tang, Haiting Wang, Rui Chen, et al., Isolation pillar first gate structures and methods of forming same, US Patent 10600914, 2020. 

6.陈睿, 韦亚一, 唐明浩 ,张利斌, 马乐, 粟雅娟, 董立松, 何建芳, 王文武, 一种提高栅极均匀性的工艺, CN201911021285.6. 

7.陈睿, 韦亚一, 唐明浩, 都安彦, 苏晓菁, 泰安, 郝芸芸, 王文武, 金属栅极的制造方法, CN201911021283.X 

8.陈睿, 都安彦, 杨红, 韦亚一, 王文武, 一种自对准双重图形的制备方法、硬掩模图案, CN201910536868.6 

9.陈睿, 都安彦, 韦亚一, 粟雅娟, 杨红, 董立松, 张利斌, 苏晓菁, 王文武, 一种先进节点后端金属通孔的制造工艺, 202010417361.1 

10.陈睿, 都安彦, 韦亚一, 粟雅娟, 杨红, 董立松, 张利斌, 苏晓菁, 王文武, 一种提高后段金属线通孔的工艺窗的方法, 202010417479.4 

2022年 微电子所“研究生喜爱的导师”

2021年 南京市“讲理想、比贡献”先进个人

2021年 微电子所先导中心“科研之星”

2020年 微电子所优秀员工

2018年 美国格罗方德公司“Spotlight Award”