尊龙凯时 - 人生就是搏!

當前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名: 蔣其夢
  • 性別: 男
  • 職稱: 研究員
  • 職務: 
  • 學曆: 博士
  • 電話: 010-82995587
  • 傳真: 
  • 電子郵件: jiangqimeng@ime.ac.cn
  • 所屬部門: 高頻高壓器件與集成研發中心
  • 通訊地址: 北京市朝陽區北土城西路3號

    簡  曆:

  • 教育背景

    2010.09-2014.12 香港科技大学 电子及计算机科学 工学博士

    2007.09-2010.06 电子科技大学 微电子与固体电子学 工学硕士

    2003.09-2007.07 电子科技大学 电子科学与技术 工学学士

    工作簡曆

    2021.02-至今 中國科學院微电子研究所 研究員

    2015.02-2021.02 华为技术有限公司 主任工程师

    社會任職:

  • IEEE EDLTED審稿人

    研究方向:

  • 功率半導體及集成電路

    承擔科研項目情況:

  • 1、北京市科委港澳合作项目 超薄势垒SiGaN增强型器件与单片集成技术 项目负责人 2021.8-2023.8?

    2、中科院尊龙凯时所長基金項目 GaN功率器件可靠性增强技术研究 项目负责人 2022.1-2025.12

    代表論著:

  • 1.?Tiantian Luan; Qimeng Jiang; Sen Huang; Xinhua Wang; Hao Jin; Fuqiang Guo; Yixu Yao; Jie Fan; Haibo Yin; Ke Wei; Yankui Li; Haojie Jiang; Junfeng Li; Xinyu Liu,“Investigation of trapping/de-trapping dynamics of surface states in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors based on dual-gate structures”,Microelectronic Engineering, 2023?

    2.?Hao Jin; Qimeng Jiang; Sen Huang; Xianping Wang; Yingjie Wang; Zhongchen Ji; Xinyue Dai; Chao Feng; Jie Fan; Ke Wei; Jianxun Liu; Yaozong Zhong; Qian Sun; Xinyu Liu,” An Enhancement-Mode GaN p-FET With Improved Breakdown Voltage”, IEEE Electron Device Letters, 2022?

    3.?Yixu Yao; Qimeng Jiang; Sen Huang; Xinhua Wang; Lan Bi; Hao Jin; Xinyue Dai; Yifei Huang; Jie Fan; Ke Wei; Jinjuan Xiang; Haojie Jiang; Junfeng Li; Wenwu Wang; Xinyu Liu,” Investigation of Dynamic-QGD on Enhancement-Mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiNx Passivation Dielectric”, 2022 IEEE 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2022. ?

    4.?Lan Bi; Yixu Yao; Qimeng Jiang; Sen Huang; Xinhua Wang; Hao Jin; Xinyue Dai; Zhengyuan Xu; Jie Fan; Haibo Yin; Ke Wei; Xinyu Liu,” Instability of parasitic capacitance in T-shape-gate enhancement-mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs”, Journal of Semiconductors, 2022?

    5.?Yixu Yao; Qimeng Jiang; Sen Huang; Xinhua Wang; Xiaorong Luo; Hao Jin; Fuqiang Guo; Haibo Yin; Jingyuan Shi; Haojie Jiang; Junfeng Li; Wenwu Wang; Bo Shen; Ke Wei; Xinyu Liu,“Identification of bulk and interface state-induced threshold voltage instability in metal/SiNx(insulator)/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors using deep-level transient spectroscopy, Applied Physics Letters, 2021?

    6.?Lan Bi; Qimeng Jiang; Sen Huang; Xinhua Wang; Yingjie Wang; Yuchen Li; Fuqiang Guo; Luan, Tiantian; Yang Liu; Jie Fan; Haibo Yin; Ke Wei; Yingkui Zheng; Yankui Li; Xinyu Liu,“Impact of Vth Insability on Time-Resolved Characteristics of MIS-HEMT-Based GaN Power IC”,IEEE Electron Device Letters,2021?

    專利申请:

    獲獎及荣誉:

  • 2013 ISPSD 最佳青年學者