吳德馨，女，1936年出生，河北乐亭县人。
1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。中國科學院微电子所研究員。
1991年当选为中國科學院院士（学部委员）。
20世纪60年代初，吳德馨作为主要负责人之一，在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广。
60年代末期研究成功介質隔離數字集成電路和高阻抗運算放大器模擬電路。
70年代末研究成功MOS4K位動態隨機存儲器。在國內首先將正性膠光刻和幹法刻蝕等技術用于大規模集成電路的研制，並進行了提高成品率的研究。首先在國內突破了LSI低下的局面。隨後又相繼研究成功16K位和64K位動態隨機存儲器。開發成功雙層多晶矽和差值氧化工藝，獨創了檢測腐蝕接觸孔質量的露點法。
80年代末期自主開發成功3微米CMOSLSI全套工藝技術，用于專用電路的制造。研制成功多種專用集成電路並研究開發成功VDMOS系列功率場效應器件和砷化嫁異質結高電子遷移率晶體管。
90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工藝技術，和0.1微米T型柵GaAsPHEMT器件。
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