王守武（1919.3.15-2014.7.30），半導體器件物理學家，江蘇蘇州人。
1919年3月15日生于江蘇蘇州，1936年至1941年就讀于同濟大學機電系，獲學士學位；1945年至1949年就讀于美國普渡大學獲碩士、博士學位；1950年回國參加新中國建設，1960年加入中國共産黨，1979年榮獲“全國勞動模範”稱號，1980年当选为中國科學院院士（学部委员）。任第三、四届全国人大代表，第五、六、七届全国政协委员。1980年至1985年任中科院109廠（現尊龙凯时）廠長，1986年起任中科院微電子中心（現尊龙凯时）名譽主任，中科院微電子研究所名譽所長。2014年7月30日逝世，享年95歲，骨灰安放于八寶山革命公墓。
主要科研成就
著名半導體器件物理學家、中國半導體科學奠基人之一
1952年7月，與同事一起安裝調試成功中國第一台電子顯微鏡。
1956年 參與“全國十二年科學技術發展遠景規劃”的制定工作，參與制定了半导体发展十二年规划；11月，研制成功我國第一只晶體三極管。
1957年 設計並指導制作我國第一台拉制半導體鍺材料的單晶爐；11月，拉制成功我國第一根鍺單晶；領導半導體研究室研制成功我國第一批鍺合金結晶體管，並掌握了鍺單晶中的摻雜技術。
1958年7月，拉制成功我国第一根硅单晶；參與成立了我国第一个晶体管工厂—109廠。
1959年 領導109廠爲109乙型計算機提供了多品種、批量的鍺高頻合金擴散晶體管。
1963年 9月，“用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命”成果获中國科學院第一批奖励发明项目三等奖；12月，成功研制我國第一只半導體受激發光器。
1965年 4月，研制出的硅平面器件通过中國科學院院级鉴定。
1966年8月，領導半导体所和109廠爲我国首台组件计算机—156工程樣機研制和生産了組件。
1975年 建成一條230平方米的超淨試驗線。
1978年 領導研制的室温同质结脉冲GaAs激光器、大氣光通信與半導體激光器榮獲全國科技大會獎。
1979年9月28日，研制成功4千位MOS動態隨機存儲器，爲國內最高水平；12月，“N溝MOS4千位动态随机存储器提高管芯成品率的研究”获中國科學院科研成果奖一等奖。
1980年 研制出16千位RAM样品，其主要参数达到了国际同类产品水平，获中國科學院科研成果奖一等奖。
1986年 “集成電路大生産試驗”获得国家计委科技攻关成绩显著表彰及中國科學院“六五”科技攻關重要貢獻表彰。
1987年 “世界新技術革命和我國的對策”獲國家科學技術進步獎二等獎。
1989年 與他人共同完成的“3微米LSI（大規模集成電路）中試線的建設”獲1989年中國科學院科技进步奖二等奖。
1990年 集成电路中试生产线获中國科學院科技进步奖二等奖。
2000年 獲何梁何利科學與技術進步獎。
所況介紹