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長鑫存儲宣布其設計産能12萬片生産線投産

稿件來源: 發布時間:2019-09-20
       新华社消息,在合肥召开的2019世界制造业大会上,总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片制造项目宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期设计产能每月12万片晶圆。 

  該項目2016年5月由合肥市政府旗下合肥産投與兆易創新共同出資組建。目前,項目已獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標准化研究院的量産良率檢測報告。 

  长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明介绍,长鑫存储投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证,今年底正式交付,另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。 

  長鑫存儲副總裁平爾萱日前在另一場合表示,公司已經成功把從奇夢達獲得的46納米堆棧式DRAM平穩過度到10納米級別,公司甚至在探索HKMG、EUV甚至GAA等新技術和新工藝在DRAM上的實現,力爭未來成爲存儲領域的領先者。 

  (来源: 大半导体产业网   2019年9月20日) 

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