| 專利名称 | 發明人 | 申請號 | 申請日期 |
|---|---|---|---|
| 形成半導體器件替代柵的方法以及制造半導體器件的方法 | 許高博;徐秋霞; | 201210500533.7 | 2012-11-29 |
| 半導體結構及其制造方法 | 朱慧珑;駱志炯;尹海洲; | 201210432008.6 | 2012-11-02 |
| 双应力异质SOI半導體結構及其制造方法 | 駱志炯;尹海洲;朱慧珑; | 201210501985.7 | 2012-11-29 |
| 平坦化處理方法 | 朱慧珑;羅軍;李春龙;邓坚;赵超; | 201210505860.1 | 2012-11-30 |
| 半導體器件及其制造方法 | 朱慧珑;徐秋霞;張嚴波;楊紅; | 201210505754.3 | 2012-11-30 |
| 半導體器件的制造方法 | 徐秋霞;朱慧珑;許高博;周華傑;陳大鵬; | 201210505744.X | 2012-11-30 |
| FinFET及其制造方法 | 朱慧珑;許淼;梁擎擎;尹海洲; | 201210506140.7 | 2012-11-30 |
| 半導體器件及其制造方法 | 朱慧珑; | 201210447834.8 | 2012-11-09 |
| 半導體器件及其制造方法 | 朱慧珑; | 201210448013.6 | 2012-11-09 |
| 半導體器件及其制造方法 | 朱慧珑; | 201210448458.4 | 2012-11-09 |
| FinFET及其制造方法 | 朱慧珑;許淼;梁擎擎;尹海洲; | 201210447946.3 | 2012-11-09 |
| 半導體器件及其制造方法 | 朱慧珑; | 201210447259.1 | 2012-11-09 |
| 半導體器件及其制造方法 | 朱慧珑; | 201210441230.2 | 2012-11-07 |
| 半導體器件及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;鍾彙才; | 201210441393.0 | 2012-11-07 |
| 柵電極的形成方法 | 钟汇才;梁擎擎;羅軍;赵超; | 201210309498.0 | 2012-08-27 |
科研産出